Энергетические уровни Yb:YAGАлюмоиттриевые гранаты легированные ионами иттербия имеют ряд уникальных свойств:

Буля иттербия АИГСледует отметить, что малый квантовый дефект (энергия излучательного фотона близка к энергии фотона накачки) имеет и отрицательный эффект – возможность перехода активной среды на квазитрехуровневую схему генерации. Также остро может стать проблема построения резонатора при продольной накачке, глухое зеркало должно иметь высокое отражение на длине волны излучения, а длина волны накачки близка к ней. Таким образом, следует использовать дорогие сложные диэлектрические покрытия.

Параметры Yb:YAG кристалла и активных элементов представлены ниже.

Тип решетки кубическая
Параметр решекти 12.01 A
Температура плавления 1970°C
Твердость по Моосу 8.5
Плотность

4.56±0.04гр/см3

Удельная теплоемкость (0-20) 0.59Дж/гхсм3
Модуль эластичности 310ГПа
Модуль Юнга 3.17X10+4 кг/мм2
Клээфициент Пуассона 0.3
Пердел прочности на разрыв 0.13~0.26ГПа
Коэффициент теплового расширения [100] Направление:8.2x10-6 / °C (0~250 °C )
[110] Направление:7.7x10-6 / °C (0~250°C )
[111] Направление:7.8x10-6 / °C (0~250°C )
Теплопроводность 14 Вт/м/К (@20°C)
10.5 Вт/м/К (@100°C)
Термооптический коэффициент (dn/dt) 7.3?10-6 / °C
Термостойкость 790Вт/м

Табл. 1. Свойства Yb:YAG кристалла.

Концентрация (atm%) Yb: 0.5~25%
Лазерный переход 2F5/2 - 2F7/2
Длина волны 1030нм
Энергия фотона 1.93х10-19Дж@1030нм
Ширина линии излучения 9нм
Сечение излучения (1% Nd) 2x10-20 см-2
Время жизни верхнего уровня 1.2мсек
Длина волны диодной накачки 940нм и 970нм
Ширина линии накачки 8нм
Показатель перломления 1.82@1030нм
Термооптический коэффициент 9х10-6 1/°C
Коэффицент потерь 0.003 см-1

Табл. 2. Оптические и спектральные свойства Yb:YAG.

Ориетация: по заказу , допуск 5°C
Искажение волнового фронта lamda/8 на дюйм @ 633 нм
Коэффициент экстинкции: >28Дб
Точность размеров Точность диаметра: +/-0.025мм ,  Длины: +/-0.5мм
Полировка торцов: 10/5 Scratch / Dig MIL-O-1380A
Параллелизм: 10 угловых секунд
Перпендикулярность: < 5 угловых минут
Чистая апертура: >90%
Плоскостность: <lambda/10 @ 633 нм
Фаска:  
Обработка боковой поверхности: 50-80 микродюйма (RMS)
AR покрытия: R < 0.25% @ 1064 нм на одной повелхности

Табл. 3. Параметры обработки активных элементов из АИГ:Yb.

Мы поставляем активные элементы Yb:YAG в виде стержней, SLAB-ов и тонких дисков. Просветленные и без покрытий. Для заказа обращайтеся по нашим контактам.