Лазерный диод - полупроводниковая гомо- или гетероструктура, выращенная на подложке MOCVD, VCSEL или другим методом. Индуцированное излучение возникает при инжекции электрического заряда в p-n переход. Резонатор выполнен в виде сколов по краям активной среды, лазерные диоды обладают высоким КПД преобразования электрической энергии в оптическую, порядка 50%. Из-за малых размеров излучающей площадки излучение лазерных диодов имеет большую расходимость, особенно вдоль быстрой оси, т.е. направления с минимальным размеров излучающей зоны. Лазерные диоды получили широкое применение в медицинской технике, системах передачи данных, целеуказания и подсветки, научных исследованиях. Мощные ИК лазерные диоды широко используются для накачки твердотельных лазеров.

Линейки и решетки лазерных диодов используются преимущественно для поперечной накачки твердотельных лазеров. Высокая плотность мощности на длине волны 808нм позволяет получать дифференциальный КПД накачки более 50%.Поперечная накачка позволяет использовать более простые схемы резонаторов, уменьшить влияние тепловой линзы, использовать более длинный активные элемент, а значит и получить более высокие выходные мощности.

Наша компания поставляет широкую номенклатуру лазерных диодов, различных мошностей, длин волн и конструктивного исполнения. На излучающую площадку мощных ИК лазерных диодов по заказу может быть приклеена цилиндрическая линза, для уменьшения расходимости по быстрой оси. Все ЛД красного диапазона поставляются с распиновкой "плюс на корпусе" (Схема 1), по заказу возможна поставка другой распиновки ЛД.

Модель
Длина волны
Мощность
Темп. диапазон
Тип корпуса
Включение
RLD-635(5)X 635 нм 5 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-635(10)X 635 нм 10 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(5)X 650 нм 5 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(10)X 650 нм 10 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(30)X 650 нм 30 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(40)X 650 нм 40 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(80)X 650 нм 80 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-650(100)X 650 нм 100 мВт -10~40 TO-18 Схема 1
RLD-808(500) 808 нм 500 мВт -10~40 TO-18, TO-5
TO-3, c-mount
Схема 1
RLD-808(1000) 808 нм 1000 мВт -10~40 TO-5, TO-3,
c-mount
Схема 1
RLD-808(2000) 808 нм 2000 мВт -10~40 TO-3, c-mount Схема 1
RLD-808(3000) 808 нм 3000 мВт -10~40 TO-3, c-mount Схема 1
RLD-808(5000) 808 нм 5000 мВт -10~40 TO-3, c-mount Схема 1
RLD-808(7000) 808 нм 7000 мВт -10~40 TO-3, c-mount Схема 1
RLD-830(200) 830 нм 200 мВт -10~40 TO-18, TO-5
TO-3, c-mount
Схема 1
RLD-830(500) 830 нм 500 мВт -10~40 TO-18, TO-5
TO-3, c-moun
Схема 1
RLD-980(50) 980 нм 50 мВт -10~40 TO-18, TO-5 Схема 1
RLD-980(200) 980 нм 200 мВт -10~40 TO-18, TO-5 Схема 1

Корпусировка поставляемых нашей компанией ЛД может быть четырех видов: TO-18, TO-5, TO-3, c-mount. Ниже представлены габаритные чертежи этих корпусировок.

 Рис. 1. Габаритные размеры корпуса ТО-18

 

Рис. 2. Габаритные размеры корпуса ТО-5

 

 

 Рис. 3. Габаритные размеры корпуса ТО-3

 


 
Рис. 4. Габаритные размеры корпуса c-mount

Лазерный диод может иметь различную распиновку корпуса, что определяет способ его включения в электрическую цепь.

Схема 1 Схема 2 Схема 3
Схема 4 Схема 5
Схема 6

Лазерные диоды должны включаться в очень надежную цепь питания, без бросков тока и напряжения. При работе лазерного диода, если не обеспечивается должный контроль температуры и прямого тока, лазерный диод может выйти из строй из-за перегрева. Повышение температуры приводит к повышению тока, повышение тока в свою очередь в большей рассеиваемой мощность и так далее до выхода из строя. В блоке питания используют цепи с демпфирующими цепочки для нейтрализации бросков напряжения и плавного выхода на рабочий режим, а для контроля тока - обратную связь. Обратная связь реализуется схемотехнически либо по прямому току лазерного диода, либо по току фотодиода обратной связи, при его наличии в корпусе ЛД.

По вопросам приобретения лазерных диодов, а также за технической консультацией обращайтесь к специалистам нашей компании.

Каталог