Лазерный диод - полупроводниковая гомо- или гетероструктура, выращенная на подложке MOCVD, VCSEL или другим методом. Индуцированное излучение возникает при инжекции электрического заряда в p-n переход. Резонатор выполнен в виде сколов по краям активной среды, лазерные диоды обладают высоким КПД преобразования электрической энергии в оптическую, порядка 50%. Из-за малых размеров излучающей площадки излучение лазерных диодов имеет большую расходимость, особенно вдоль быстрой оси, т.е. направления с минимальным размеров излучающей зоны. Лазерные диоды получили широкое применение в медицинской технике, системах передачи данных, целеуказания и подсветки, научных исследованиях. Мощные ИК лазерные диоды широко используются для накачки твердотельных лазеров.
Линейки и решетки лазерных диодов используются преимущественно для поперечной накачки твердотельных лазеров. Высокая плотность мощности на длине волны 808нм позволяет получать дифференциальный КПД накачки более 50%.Поперечная накачка позволяет использовать более простые схемы резонаторов, уменьшить влияние тепловой линзы, использовать более длинный активные элемент, а значит и получить более высокие выходные мощности.
Наша компания поставляет широкую номенклатуру лазерных диодов, различных мошностей, длин волн и конструктивного исполнения. На излучающую площадку мощных ИК лазерных диодов по заказу может быть приклеена цилиндрическая линза, для уменьшения расходимости по быстрой оси. Все ЛД красного диапазона поставляются с распиновкой "плюс на корпусе" (Схема 1), по заказу возможна поставка другой распиновки ЛД.
Модель |
Длина волны |
Мощность |
Темп. диапазон |
Тип корпуса |
Включение |
| RLD-635(5)X | 635 нм | 5 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-635(10)X | 635 нм | 10 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(5)X | 650 нм | 5 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(10)X | 650 нм | 10 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(30)X | 650 нм | 30 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(40)X | 650 нм | 40 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(80)X | 650 нм | 80 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-650(100)X | 650 нм | 100 мВт | -10~40 | TO-18 | Схема 1 |
| RLD-808(500) | 808 нм | 500 мВт | -10~40 | TO-18, TO-5 TO-3, c-mount |
Схема 1 |
| RLD-808(1000) | 808 нм | 1000 мВт | -10~40 | TO-5, TO-3, c-mount |
Схема 1 |
| RLD-808(2000) | 808 нм | 2000 мВт | -10~40 | TO-3, c-mount | Схема 1 |
| RLD-808(3000) | 808 нм | 3000 мВт | -10~40 | TO-3, c-mount | Схема 1 |
| RLD-808(5000) | 808 нм | 5000 мВт | -10~40 | TO-3, c-mount | Схема 1 |
| RLD-808(7000) | 808 нм | 7000 мВт | -10~40 | TO-3, c-mount | Схема 1 |
| RLD-830(200) | 830 нм | 200 мВт | -10~40 | TO-18, TO-5 TO-3, c-mount |
Схема 1 |
| RLD-830(500) | 830 нм | 500 мВт | -10~40 | TO-18, TO-5 TO-3, c-moun |
Схема 1 |
| RLD-980(50) | 980 нм | 50 мВт | -10~40 | TO-18, TO-5 | Схема 1 |
| RLD-980(200) | 980 нм | 200 мВт | -10~40 | TO-18, TO-5 | Схема 1 |
Корпусировка поставляемых нашей компанией ЛД может быть четырех видов: TO-18, TO-5, TO-3, c-mount. Ниже представлены габаритные чертежи этих корпусировок.
 |
 |
 |
Рис. 1. Габаритные размеры корпуса ТО-18
|
|
 |
 |
 |
Рис. 3. Габаритные размеры корпуса ТО-3
 |
  |
Лазерный диод может иметь различную распиновку корпуса, что определяет способ его включения в электрическую цепь.
| Схема 1 | Схема 2 | Схема 3 |
 |
 |
 |
| Схема 4 | Схема 5 | Схема 6 |
 |
 |
 |
Лазерные диоды должны включаться в очень надежную цепь питания, без бросков тока и напряжения. При работе лазерного диода, если не обеспечивается должный контроль температуры и прямого тока, лазерный диод может выйти из строй из-за перегрева. Повышение температуры приводит к повышению тока, повышение тока в свою очередь в большей рассеиваемой мощность и так далее до выхода из строя. В блоке питания используют цепи с демпфирующими цепочки для нейтрализации бросков напряжения и плавного выхода на рабочий режим, а для контроля тока - обратную связь. Обратная связь реализуется схемотехнически либо по прямому току лазерного диода, либо по току фотодиода обратной связи, при его наличии в корпусе ЛД.
По вопросам приобретения лазерных диодов, а также за технической консультацией обращайтесь к специалистам нашей компании.